SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노(nm·1나노는 10억분의 1미터)급

6세대(1c) 기술을 세계 최초로 개발했다. 앞서 5세대인 10나노 1b는

지난해 5월 삼성전자가 SK하이닉스보다 열흘 먼저 양산했지만,

6세대는 SK하이닉스가 한발 앞서 나간 셈이다.

차세대 D램을 두고 두 기업의 자존심 경쟁이 치열해 지고 있다.

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SK하이닉스가 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한

16GB(기가비트) DDR5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.

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SK하이닉스는 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해

메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다.

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SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다.

이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론,

업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을

가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다.

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또, 극 자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고,

전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다.

설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성으로 30% 이상 향상시켰다.

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고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는

8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다.

또, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

AI시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데,

클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을

데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다

최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

김종환 sk하이닉스 부사장(DDR5 개발담당)은

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“1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR, GDDR7등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서

고객에게 차별화된 가치를 제공할 것” 이라고 말했다.

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출처 : 전자부품 전문 미디어 디일렉(http://www.thelec.kr)

“하이닉스, 6세대 D램 ‘1cDDR5’ 개발... 삼성보다 앞섰다”